廣東固锝電子科技有限公司

穩(wěn)壓二極管，英文名稱Zener diode，又叫齊納二極管。此二極管是一種直到臨界反向擊穿電壓前都具有很高電阻的半導體器件.在這臨界擊穿點上，反向電阻降低到一個很小的數(shù)值，在這個低阻區(qū)中電流增加而電壓則保持恒定，穩(wěn)壓二極管是根據(jù)擊穿電壓來分檔的，因為這種特性，穩(wěn)壓管主要被作為穩(wěn)壓器或電壓基準元件使用.穩(wěn)壓二極管可以串聯(lián)起來以便在較高的電壓上使用，通過串聯(lián)就可獲得更多的穩(wěn)定電壓。

廣東固锝電子科技有限公司專業(yè)生產銷售穩(wěn)壓二極管二十多年，主要分為玻封和塑封，目前產品包括：0.225W，0.5W，1W，1.3W，3W，5W等功率，穩(wěn)壓值由2.4V到200V，任何一個電壓點都可以根據(jù)客戶要求生產，精度可以控制到1%。

肖特基二極管的結構：

大家知道，金屬導體內部有大量的導電電子。當金屬與半導體接觸（二者距離只有原子大小的數(shù)量級）時，金屬的費米能級低于半導體的費米能級。在金屬內部和半導體導帶相對應的分能級上，電子密度小于半導體導帶的電子密度。因此，在二者接觸后，電子會從半導體向金屬擴散，從而使金屬帶上負電荷，半導體帶正電荷。由于金屬是理想的導體，負電荷只分布在表面為原子大小的一個薄層之內。而對于N型半導體來說，失去電子的施主雜質原子成為正離子，則分布在較大的厚度之中。電子從半導體向金屬擴散運動的結果，形成空間電荷區(qū)、自建電場和勢壘，并且耗盡層只在N型半導體一邊（勢壘區(qū)全部落在半導體一側）。勢壘區(qū)中自建電場方向由N型區(qū)指向金屬，隨熱電子發(fā)射自建場增加，與擴散電流方向相反的漂移電流增大，最終達到動態(tài)平衡，在金屬與半導體之間形成一個接觸勢壘，這就是肖特基勢壘。

在外加電壓為零時，電子的擴散電流與反向的漂移電流相等，達到動態(tài)平衡。在加正向偏壓（即金屬加正電壓，半導體加負電壓）時，自建場削弱，半導體一側勢壘降低，于是形成從金屬到半導體的正向電流。當加反向偏壓時，自建場增強，勢壘高度增加，形成由半導體到金屬的較小反向電流。因此，SBD與PN結二極管一樣，是一種具有單向導電性的非線性器件。

廣東固锝電子科技有限公司專業(yè)生產銷售肖特基二極管二十多年，電流主要分為1A、2A、3A、5A、8A、10A、15A、20A、30A、45A，廣泛用于各類電源及消費類電子產品中。